Technische Details SI4426DYT1E3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A, Case: SO8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 50nC, On-state resistance: 35mΩ, Power dissipation: 2.5W, Drain current: 8.5A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Pulsed drain current: 40A.
Weitere Produktangebote SI4426DYT1E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
 07+ SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
08+ SOP-8 |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V N-CHANNEL 2.5V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4426DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 50nC On-state resistance: 35mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 40A |
Produkt ist nicht verfügbar |