SI4431BDY-T1-GE3
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Technische Details SI4431BDY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis SI4431BDY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V 
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auf Bestellung 4770 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR)
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