SI4455DY-T1-E3

SI4455DYT1E3

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Technische Details SI4455DYT1E3

Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SI4455, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SOIC, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc).

Preis SI4455DYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -150V Vds 20V Vgs SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Base Part Number: SI4455
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 5.9W
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI4455
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
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