SI4455DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 1.55 EUR |
| 5000+ | 1.48 EUR |
| 12500+ | 1.41 EUR |
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Technische Details SI4455DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4455DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.5 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 5.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V |
auf Bestellung 32116 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -150V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 25988 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 14732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.9W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 14732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.3A; 3.8W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.295Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 23.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4455DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.3A; 3.8W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.3A On-state resistance: 0.295Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 23.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
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