SI4455DY-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4455DY-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 5.9W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm.
Weitere Produktangebote SI4455DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.29 EUR bis 6.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4455DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
SI4455DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 5.9W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm |
auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SI4455DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 2500+ | 1.29 EUR |
| SI4455DY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
Description: VISHAY - SI4455DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.245 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.245ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.68 EUR |
| 59+ | 3.95 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |


