SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 1.66 EUR |
| 5000+ | 1.6 EUR |
| 12500+ | 1.55 EUR |
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Technische Details SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm.
Weitere Produktangebote SI4459ADY-T1-GE3 nach Preis ab 1.24 EUR bis 3.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -23.5A On-state resistance: 5mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -23.5A On-state resistance: 5mΩ |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V |
auf Bestellung 106962 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 11308 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
auf Bestellung 12755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 Produktcode: 184525 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |