SI4459ADY-T1-GE3
Produktcode: 184525
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V |
auf Bestellung 30490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 4603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V |
auf Bestellung 31952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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