SI4459ADY-T1-GE3


Si4459ADY.PDF
Produktcode: 184525
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SI4459ADY-T1-GE3 nach Preis ab 1.52 EUR bis 5.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 30490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.65 EUR
5000+1.55 EUR
7500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4459ady.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Siliconix info-tsi4459ady.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.83 EUR
63+2.76 EUR
100+2.5 EUR
200+2.11 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Semiconductors Si4459ADY.PDF MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.67 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.2 EUR
2500+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 31952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY Si4459ADY.PDF Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
60+3.9 EUR
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 30490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.65 EUR
5000+1.55 EUR
7500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 info-tsi4459ady.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 info-tsi4459ady.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 si4459ady.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.83 EUR
63+2.76 EUR
100+2.5 EUR
200+2.11 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.8 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.09 EUR
10+3.67 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.2 EUR
2500+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 31952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.44 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.84 EUR
60+3.9 EUR
100+2.7 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH