Produkte > VISHAY > SI4459ADY-T1-GE3
SI4459ADY-T1-GE3

SI4459ADY-T1-GE3 Vishay


si4459ady.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4459ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4459ADY-T1-GE3 nach Preis ab 1.13 EUR bis 3.80 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+3.18 EUR
67+2.15 EUR
100+1.92 EUR
200+1.58 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3
Produktcode: 184525
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Si4459ADY.PDF Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 35054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors Si4459ADY.PDF MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 12344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+2.45 EUR
100+1.71 EUR
250+1.60 EUR
500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
auf Bestellung 35705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.80 EUR
10+2.68 EUR
100+2.13 EUR
500+1.79 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix Si4459ADY.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix Si4459ADY.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH