auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 67+ | 2.36 EUR |
| 75+ | 2.02 EUR |
| 78+ | 1.87 EUR |
| 89+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 250+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.1 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4490DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4490DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.1 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4490DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4490DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 2139 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4490DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4490DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO |
auf Bestellung 1876 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4490DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4490DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A; 1W; SO8 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.85A On-state resistance: 80mΩ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4490DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A; 1W; SO8 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.85A On-state resistance: 80mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |