SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4490DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Base Part Number: SI4490, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs (Max): ±20V.

Preis SI4490DY-T1-GE3 ab 1.14 EUR bis 3.14 EUR

SI4490DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4490DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI4490DY-T1-GE3
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 2.85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI4490DY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4490DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4490DY-T1-GE3
SI4490DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: SI4490
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
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SI4490DY-T1-GE3
SI4490DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI4490
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
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SI4490DY-T1-GE3
SI4490DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Base Part Number: SI4490
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
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