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SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3 Vishay


si4490dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4490DY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4490dy.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002472635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002472635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
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SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.85A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
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