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Technische Details SI4559ADY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4559ADY-T1-GE3 nach Preis ab 0.53 EUR bis 3.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2/2.2W Polarisation: unipolar On-state resistance: 58/120mΩ Gate charge: 20/22nC Drain current: 4.3/-3.2A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60/-60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3462 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2/2.2W Polarisation: unipolar On-state resistance: 58/120mΩ Gate charge: 20/22nC Drain current: 4.3/-3.2A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60/-60V |
auf Bestellung 3462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
auf Bestellung 20288 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 6660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4559ADY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |