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SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4559ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
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Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
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