SI4800BDY-T1-GE3

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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V
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Technische Details SI4800BDY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: 8-SO, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Vgs (Max): ±25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active.

Preis SI4800BDY-T1-GE3 ab 0.99 EUR bis 2.34 EUR

SI4800BDY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: 8-SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
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