SI4800BDYT1E3

SI4800BDY-T1-E3

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Produktcode: 52358
Hersteller:
Elektronische Bauelemente und Systeme - Verschiedene Bauteile 2

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Technische Details SI4800BDY-T1-E3

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:9A
  • On Resistance, Rds(on):0.0185ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Preis SI4800BDY-T1-E3 ab 1.03 EUR bis 2.34 EUR

SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: SILI
N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185? Trans SI4800BDY-E3 SOP08 TSI4800bdy-e3
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
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auf Bestellung 60 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+ 1.03 EUR
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SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 9A 2.5W
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auf Bestellung 13670 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+ 2.34 EUR
25+ 2.11 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.36 EUR
SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4800BDY-E3 SMD N channel transistors
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SI4800BDYT1E3
Hersteller: VISHAY

30000 Stücke
SI4800BDYT1E3
Hersteller:

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SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4800BDY-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI4800
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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