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SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3 Vishay

si4800bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4800BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

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SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4800bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4800bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
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SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4800bd.pdf MOSFETs 30V 9A 2.5W
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SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1845 Stücke:
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Anzahl Preis
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
194+0.37 EUR
205+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 40A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4800bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
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SI4800BDY-T1-E3 Hersteller : Siliconix si4800bd.pdf N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3
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Produktcode: 52358
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