SI4800BDY-T1-E3
Produktcode: 52358
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI4800BDY-T1-E3
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:9A
- On Resistance, Rds(on):0.0185ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Weitere Produktangebote SI4800BDY-T1-E3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 9A 2.5W |
auf Bestellung 6081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| SI4800BDY-T1-E3 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3 Anzahl je Verpackung: 15 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| SI4800BDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |