SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Hersteller: SILI
2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR Trans. SI4816BDY-T1-GE3TR SOIC8 TSI4816bdy
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Technische Details SI4816BDY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1W, 1.25W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: 8-SO.

Preis SI4816BDY-T1-GE3 ab 2.41 EUR bis 2.41 EUR

SI4816BDY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4816BDY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 5.8 A, 0.0155 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0155
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4816BDY-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W, 1.25W
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W, 1.25W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: 8-SO
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SI4816BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W, 1.25W
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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