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Technische Details SI4816BDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4816BDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.95 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 14960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W, 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 3390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4816BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6/6.5A On-state resistance: 18.5/11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Power dissipation: 0.64/0.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET Gate charge: 10/18nC Technology: LITTLE FOOT® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4816BDY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolar; 30V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6/6.5A On-state resistance: 18.5/11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Power dissipation: 0.64/0.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET Gate charge: 10/18nC Technology: LITTLE FOOT® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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