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| Anzahl | Preis |
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| 122+ | 1.17 EUR |
| 124+ | 1.12 EUR |
| 131+ | 1.02 EUR |
| 250+ | 0.97 EUR |
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| 1000+ | 0.87 EUR |
| 3000+ | 0.82 EUR |
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Technische Details SI4850EY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI4850EY-T1-GE3 nach Preis ab 0.82 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 6709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W Polarisation: unipolar Drain current: 6A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4850EY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W Polarisation: unipolar Drain current: 6A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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