SI4850EY-T1-GE3
verfügbar/auf Bestellung
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details SI4850EY-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC, Base Part Number: SI4850, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V.
Preis SI4850EY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4850EY-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4850EY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
|
auf Bestellung 3599 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
SI4850EY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC Base Part Number: SI4850 Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
|
auf Bestellung 2997 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|