Produkte > VISHAY > SI4850EY-T1-GE3
SI4850EY-T1-GE3

SI4850EY-T1-GE3 Vishay

71146.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.44 EUR
124+1.4 EUR
131+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4850EY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI4850EY-T1-GE3 nach Preis ab 1.01 EUR bis 4.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 Vishay Siliconix 71146.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.56 EUR
122+1.39 EUR
124+1.32 EUR
131+1.2 EUR
250+1.15 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002472638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 Vishay Semiconductors 71146.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.59 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.44 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 Vishay Siliconix 71146.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.87 EUR
100+2.09 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 VISHAY 71146.pdf Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
73+3.2 EUR
100+2.31 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
SI4850EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
SI4850EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.56 EUR
122+1.39 EUR
124+1.32 EUR
131+1.2 EUR
250+1.15 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 VISH-S-A0002472638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4850EY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
SI4850EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 6709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.53 EUR
10+2.59 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.44 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
SI4850EY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.25 EUR
10+2.87 EUR
100+2.09 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-GE3 71146.pdf
SI4850EY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.8 EUR
73+3.2 EUR
100+2.31 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH