SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4925BDY-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: 2 P-Channel (Dual), Power - Max: 1.1W, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active.

Preis SI4925BDY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI4925BDY-T1-GE3
SI4925BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V
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auf Bestellung 44319 Stücke
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SI4925BDY-T1-GE3
SI4925BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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