SI4925BDY-T1-GE3
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Technische Details SI4925BDY-T1-GE3
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: 2 P-Channel (Dual), Power - Max: 1.1W, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active.
Preis SI4925BDY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V 
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auf Bestellung 44319 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: 2 P-Channel (Dual) Power - Max: 1.1W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active
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