SI4931DY-T1-E3

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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

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Technische Details SI4931DY-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Power - Max: 1.1W, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Base Part Number: SI4931, Supplier Device Package: 8-SO, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 P-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI4931DY-T1-E3 ab 1.42 EUR bis 4.24 EUR

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
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Hersteller: vishay
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Hersteller: VISHAY

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Hersteller: VISHAY

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Base Part Number: SI4931
Supplier Device Package: 8-SO
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
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