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SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3 Vishay


si4931dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4931DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

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SI4931DY-T1-E3 SI4931DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4931dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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SI4931DY-T1-E3 SI4931DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4931dy.pdf MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
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SI4931DY-T1-E3 SI4931DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4931dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
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FET Feature: Logic Level Gate
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