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Technische Details SI4948BEY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4948BEY-T1-GE3 nach Preis ab 0.39 EUR bis 3.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.95W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.95W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 23151 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 4952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 Produktcode: 196052 |
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