SI4948BEY-T1-GE3

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Technische Details SI4948BEY-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC, FET Type: 2 P-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power - Max: 1.4W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, FET Feature: Logic Level Gate.

Preis SI4948BEY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI4948BEY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4948BEY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.4
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: SI4948BEY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
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auf Bestellung 25013 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 1.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Feature: Logic Level Gate
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auf Bestellung 855 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 1.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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