SI4948BEY-T1-GE3
Produktcode: 196052
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -25A Drain current: -2.4A Gate charge: 22nC Power dissipation: 0.95W On-state resistance: 0.15Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 8290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.49 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.51 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.6 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.61 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 193+ | 0.75 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Power dissipation: 0.95W
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Power dissipation: 0.95W
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 1.87 EUR |
| 60+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 250+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 62+ | 2.35 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 250+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.1 EUR |
| 1000+ | 0.91 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 8290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 5000+ | 0.85 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.01 EUR |
| 10+ | 1.92 EUR |
| SI4948BEY-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4948BEY-T1-GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI4948BEY-T1-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)