SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A, Mounting: SMD, On-state resistance: 80mΩ, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Gate charge: 22nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -6.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI5441BDC-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI5441BDC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI5441BDC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI5441BDC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI5441BDC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI5441BDC-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI5441BDC-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V |
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