SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 17.8A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 8.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7112DN-T1-E3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY | 0843+ |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY | 09+ |
auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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