SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 250+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| 3000+ | 1.48 EUR |
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Technische Details SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 17.8A, On-state resistance: 8.2mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 27nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 60A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7112DN-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
 0843+ |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7112DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
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