SI7114DN-T1-GE3
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Technische Details SI7114DN-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.5W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide.
Preis SI7114DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide 
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
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