SI7114DN-T1-GE3

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SI7114DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
si7114dn-310560.pdf
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Technische Details SI7114DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.5W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide.

Preis SI7114DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7114DN-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
si7114dn.pdf
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SI7114DN-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
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