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Technische Details SI7120ADN-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI7120ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 13.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 31483 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V |
auf Bestellung 3623 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm |
auf Bestellung 2620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. БМ PowerPAK® 1212-8 MOSFET N-channel 60 V; 6 A; 21mohm@9.5A, 10V Pmax=1,5 W |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si7120ADN-T1-GE3 |
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auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 45nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V |
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| Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 45nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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