Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.03 EUR |
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Technische Details Si7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote Si7120ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.69 EUR bis 3.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 2877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 23848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V |
auf Bestellung 5981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Si7120ADN-T1-GE3 |
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auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| Si7120ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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