SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SI7137DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs (Max): ±12V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585nC @ 10V, Base Part Number: SI7137, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Preis SI7137DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7137DP-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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3000 Stücke
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Material: SI7137DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 28649 Stücke
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585nC @ 10V
Base Part Number: SI7137
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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auf Bestellung 7868 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
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