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Technische Details SI7137DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7137DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7137DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 7579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 36233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7137DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 30454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO SI7137DP-T1-GE3 VISHAY TSI7137dp |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A; 66.6W Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A On-state resistance: 1.95mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 66.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 585nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -100A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7137DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A; 66.6W Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A On-state resistance: 1.95mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 66.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 585nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -100A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
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