SI7139DP-T1-GE3
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Technische Details SI7139DP-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI7139, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V.
Preis SI7139DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI7139DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI7139DP-T1-GE3 SMD P channel transistors 
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 2584 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Manufacturer: Vishay Siliconix Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 15V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Base Part Number: SI7139
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Base Part Number: SI7139 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 15V Vgs (Max): ±20V
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auf Bestellung 5935 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Manufacturer: Vishay Siliconix Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 15V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Base Part Number: SI7139
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