SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: SILI
P-MOSFET 30V 50A 5.2m? 48W Trans. SI7149ADP-TI-GE3 SO-8 TSI7149adp
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Technische Details SI7149ADP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8, Base Part Number: SI7149, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125pF @ 15V, Vgs (Max): ±25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI7149ADP-T1-GE3 ab 1.64 EUR bis 1.64 EUR

SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
P-MOSFET 30V 50A 5.2m? 48W Trans. SI7149ADP-TI-GE3 SO-8 TSI7149adp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7149ADP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7149ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7149ADP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Base Part Number: SI7149
Manufacturer: Vishay Siliconix
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125pF @ 15V
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7149ADP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Base Part Number: SI7149
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125pF @ 15V
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI7149ADP-T1-GE3
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125pF @ 15V
Vgs (Max): ±25V
Base Part Number: SI7149
Manufacturer: Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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