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SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

si7149adp.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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Technische Details SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.71 EUR
253+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
9000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.34 EUR
9000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY si7149adp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 31W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
58+1.49 EUR
82+1.05 EUR
100+0.9 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 23116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
119+1.96 EUR
124+1.73 EUR
500+1.34 EUR
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 23116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
119+1.96 EUR
124+1.73 EUR
500+1.34 EUR
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7149adp.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 24916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
3000+0.96 EUR
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
auf Bestellung 63734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.39 EUR
50+1.8 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7149ADP-T1-GE3 Siliconix si7149adp.pdf Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+0.71 EUR
253+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.02 EUR
9000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.34 EUR
9000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 31W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+2.02 EUR
58+1.49 EUR
82+1.05 EUR
100+0.9 EUR
200+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 23116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.84 EUR
119+1.96 EUR
124+1.73 EUR
500+1.34 EUR
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 23116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.84 EUR
119+1.96 EUR
124+1.73 EUR
500+1.34 EUR
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 24916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
3000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
auf Bestellung 63734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.77 EUR
10+2.39 EUR
50+1.8 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 si7149adp.pdf
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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