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SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

Name: SI7149ADP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 31540718-5
Price: 2700.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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Technische Details SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

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SI7149ADP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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SI7149ADP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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253+	0.68 EUR
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SI7149ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

auf Bestellung 63000 Stücke:

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3000+	0.98 EUR
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9000+	0.87 EUR
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Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

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3000+	1.07 EUR

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VISHAY

VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.19 EUR
9000+	1.02 EUR

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SI7149ADP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 24987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	3.22 EUR
117+	2 EUR
141+	1.52 EUR
500+	1.19 EUR
1500+	1.04 EUR

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SI7149ADP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 24987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.22 EUR
117+	2 EUR
141+	1.52 EUR
500+	1.19 EUR
1500+	1.04 EUR

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Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

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1+	3.5 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	0.96 EUR

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SI7149ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

auf Bestellung 63151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.56 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.09 EUR

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SI7149ADP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

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Siliconix

Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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30+	1.54 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 81000 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 5578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
243+	0.71 EUR
253+	0.68 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.61 EUR
2500+	0.58 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 243 Stücke

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SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

auf Bestellung 63000 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
3000+	0.98 EUR
6000+	0.9 EUR
9000+	0.87 EUR
15000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
3000+	1.19 EUR
9000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 24987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
78+	3.22 EUR
117+	2 EUR
141+	1.52 EUR
500+	1.19 EUR
1500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 78 Stücke

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SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm

auf Bestellung 24987 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
100+	3.22 EUR
117+	2 EUR
141+	1.52 EUR
500+	1.19 EUR
1500+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 24916 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
1+	3.5 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	0.96 EUR

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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

auf Bestellung 63151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
6+	3.56 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI7149ADP-T1-GE3

Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 50A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3; SI7149ADP-T1-GE3; SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
30+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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