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SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

si7149adp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7149adp.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7149adp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V
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15+1.24 EUR
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1000+0.59 EUR
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 20107 Stücke:
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001472793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 20107 Stücke:
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2148592.pdf Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 51000 Stücke:
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7149adp.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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