SI7390DP-T1-E3

SI7390DP-T1-E3

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Technische Details SI7390DP-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.8W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide.

Preis SI7390DP-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7390DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY
06PB
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1983 Stücke
SI7390DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY

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1983 Stücke
SI7390DP-T1-E3
SI7390DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 2362 Stücke
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SI7390DP-T1-E3
SI7390DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.8W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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