SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 4.29 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
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Technische Details SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W, Mounting: SMD, On-state resistance: 13.5mΩ, Power dissipation: 5W, Drain current: 15A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC.
Weitere Produktangebote SI7390DP-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7390DP-T1-E3 | VISHAY |
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auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7390DP-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)