SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.77 EUR |
| 10+ | 4.29 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
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Technische Details SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W, Mounting: SMD, On-state resistance: 13.5mΩ, Power dissipation: 5W, Drain current: 15A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC.
Weitere Produktangebote SI7390DP-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7390DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7390DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7390DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Mounting: SMD On-state resistance: 13.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC |
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