SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -11.7A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 56nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -30A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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SI7423DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -11.7A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7423DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 |
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SI7423DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -11.7A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
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