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SI7423DN-T1-GE3

SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


72582.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
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Technische Details SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Drain current: -11.7A, Pulsed drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 56nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 3.8W, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7423DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7423DN-T1-GE3 SI7423DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 72582.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
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SI7423DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±20V
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