SI7439DP-T1-GE3
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Technische Details SI7439DP-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Cut Tape (CT), Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SI7439, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V.
Preis SI7439DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 
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auf Bestellung 2952 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7439DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 9000 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: Vishay Siliconix Base Part Number: SI7439 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
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