SI7461DP-T1-E3
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Technische Details SI7461DP-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs (Max): ±20V.
Preis SI7461DP-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI7461DP-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI7461DP-T1-E3 SMD P channel transistors 
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SI7461DP-T1-E3 Hersteller: SI7461DP Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO
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SI7461DP-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI7461DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 23804 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI7461DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7461DP-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs (Max): ±20V
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auf Bestellung 13880 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
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