SI7461DP-T1-E3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SI7461DP-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs (Max): ±20V.

Preis SI7461DP-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7461DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7461DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller:
SI7461DP Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO
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Hersteller: VISHAY
Material: SI7461DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
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SI7461DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
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SI7461DP-T1-E3
SI7461DP-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
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