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SI7463ADP-T1-GE3

SI7463ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7463adp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
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Technische Details SI7463ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7463ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 46 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7463adp.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7463adp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
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SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7463adp.pdf Description: VISHAY - SI7463ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 46 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7463adp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 46A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI7463ADP-T1-GE3
Produktcode: 176105
si7463adp.pdf IC > IC andere
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SI7463ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7463adp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A; 25W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 144nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7463ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7463adp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A; 25W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 144nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
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