SI7464DP-T1-E3
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Technische Details SI7464DP-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V.
Preis SI7464DP-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 2317 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
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auf Bestellung 2872 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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