SI7465DP-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7465DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta).

Preis SI7465DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7465DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7465DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
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