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Technische Details SI7469DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI7469DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.47 EUR bis 5.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 7668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 111566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SI7469DP-T1-GE3 транзистор Produktcode: 197166
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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