SI7469DP-T1-GE3

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SI7469DP-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Technische Details SI7469DP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 40V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8.

Preis SI7469DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7469DP-T1-GE3
SI7469DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7469DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 40006 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 40V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
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auf Bestellung 3487 Stücke
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SI7469DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
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