Weitere Produktangebote SI7469DP-T1-GE3 транзистор nach Preis ab 1.78 EUR bis 6.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 129627 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
auf Bestellung 23133 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 5096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7469DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 80 V, 28 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
auf Bestellung 5096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A; 53W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -28A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 53W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| SI7469DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -28A; Idm: -40A; 53W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -28A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 53W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| 10 kOhm 1% 1/16W 50V 0402 (RMCF0402FT10K0) Резистор Produktcode: 197151 |
erwartet:
1000 Stück
| 47 kOhm 1% 1/16W 50V 0402 (RMCF0402FT47K0) Резистор Produktcode: 197159 |
Produkt ist nicht verfügbar
| SMAJ54CA Produktcode: 197168 |
|
erwartet:
100 Stück
| 0,1uF 16V 10% X7R 0402 (CC0402KRX7R7BB104) Конденсатор Produktcode: 197181 |
Produkt ist nicht verfügbar
| DMT10H009SPS-13 транзистор Produktcode: 197183 |
Produkt ist nicht verfügbar