SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SI7617DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V, Vgs (Max): ±25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI7617DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
Material: SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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auf Bestellung 393 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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SI7617DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7617DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 12284 Stücke
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SI7617DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
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