SI7617DN-T1-GE3
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Technische Details SI7617DN-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V, Vgs (Max): ±25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI7617DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI7617DN-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors 
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SI7617DN-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7617DN-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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auf Bestellung 393 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V Vgs (Max): ±25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V Vgs (Max): ±25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 12284 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V Vgs (Max): ±25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active
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