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Technische Details SI7617DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7617DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.12 EUR
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V |
auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 5169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 16198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V |
auf Bestellung 165510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 36424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 13.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7617DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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