Technische Details SI7738DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI7738DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.05 EUR bis 6.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
SI7738DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
SI7738DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
|
SI7738DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7738DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.05 EUR |
| SI7738DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 54+ | 2.72 EUR |
| 59+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 250+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.77 EUR |
| SI7738DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 54+ | 2.72 EUR |
| 59+ | 2.36 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 250+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 2.1 EUR |
| 1000+ | 2.01 EUR |
| SI7738DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.28 EUR |
| 10+ | 4.22 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.66 EUR |
| 1000+ | 2.6 EUR |
| 3000+ | 2.5 EUR |
| SI7738DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 4.37 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.61 EUR |
| SI7738DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7738DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH




