Technische Details SI7738DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI7738DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.05 EUR bis 6.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7738DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7738DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 62W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |