SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 3.5W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SI7804DN-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
2006PB |
auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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