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SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix


72317.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
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Technische Details SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 3.5W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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SI7804DN-T1-E3 Hersteller : VISHAY 72317.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7804DN-T1-E3 SI7804DN-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 72317.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
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Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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