SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 3.5W, Drain current: 10A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote SI7804DN-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7804DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 3.5W Drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A Kind of package: reel; tape |
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